CSD19534Q5A vs CSD18503Q5A Comparação

Comparação detalhada lado a lado de CSD19534Q5A por Texas Instruments e CSD18503Q5A por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro CSD19534Q5A CSD18503Q5A
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,85
FET Type N-Channel —
Technology NexFET (Power MOSFET) NexFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
On-Resistance RDS(on) 12.6 mΩ (typ per datasheet description) —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W 3.1 W
Power Dissipation (Tc) 63 W 120 W
Encapsulamento 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Nível MSL 1-260C-UNLIM —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Contagem de pinos 8 —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
On-Resistance (RDS(on)) — 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical)
Continuous Drain Current (Ta) — 19 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Configuration — Single
Gate Charge — [DATA_NEEDED: Qg]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Número de pinos — 8

Fichas técnicas e recursos

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