DMN3190LDW-7 vs JMTG070N06A Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von DMN3190LDW-7 von Diodes Incorporated und JMTG070N06A von Jiejie Micro. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter DMN3190LDW-7 JMTG070N06A
Marke Diodes Incorporated Jiejie Micro
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,10 $0,45
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A 70 A
Power Dissipation (PD) 320 mW —
Gehäuse SOT-363 (SC-70-6) 6-pin PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads)
Montageart Surface Mount Surface Mount (SMD)
Betriebstemperatur -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains Single N-channel MOSFET
Technology Silicon N-Channel MOSFET Advanced Trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Jiejie Micro (JJW)
Part Number — JMTG070N06A
Polarity / Type — N-channel Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-Resistance RDS(ON) — < 6 mOhm @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC)
Lead Status — Lead free / RoHS compliant
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: TJ max and operating range]
Thermal Resistance RthJA — [DATA_NEEDED: theta_JA]

Datenblätter & Ressourcen

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