DMN3190LDW-7 vs JMTG070N06A 比較

詳細な並列比較: DMN3190LDW-7 メーカー: Diodes Incorporated および JMTG070N06A メーカー: Jiejie Micro。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 ✓ 生産中
Jiejie Micro
JMTG070N06A JMTG070N06A - 60V 70A N-Channel Power MOSFET | PDFN5x6-8L

JMTG070N06A - 60V 70A N-Channel Power MOSFET | PDFN5x6-8L

JMTG070N06A ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ DMN3190LDW-7 JMTG070N06A
ブランド Diodes Incorporated Jiejie Micro
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.10 $0.45
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A 70 A
Power Dissipation (PD) 320 mW —
パッケージ SOT-363 (SC-70-6) 6-pin PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (SMD)
動作温度 -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains Single N-channel MOSFET
Technology Silicon N-Channel MOSFET Advanced Trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
MSLレベル 1 (unlimited) —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Jiejie Micro (JJW)
Part Number — JMTG070N06A
Polarity / Type — N-channel Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-Resistance RDS(ON) — < 6 mOhm @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC)
Lead Status — Lead free / RoHS compliant
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: TJ max and operating range]
Thermal Resistance RthJA — [DATA_NEEDED: theta_JA]

データシート&リソース

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