DMN3190LDW-7 vs JMTG070N06A Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de DMN3190LDW-7 par Diodes Incorporated et JMTG070N06A par Jiejie Micro. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre DMN3190LDW-7 JMTG070N06A
Marque Diodes Incorporated Jiejie Micro
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,10 $0,45
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A 70 A
Power Dissipation (PD) 320 mW —
Boîtier SOT-363 (SC-70-6) 6-pin PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMD)
Température de fonctionnement -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains Single N-channel MOSFET
Technology Silicon N-Channel MOSFET Advanced Trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Jiejie Micro (JJW)
Part Number — JMTG070N06A
Polarity / Type — N-channel Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-Resistance RDS(ON) — < 6 mOhm @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC)
Lead Status — Lead free / RoHS compliant
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: TJ max and operating range]
Thermal Resistance RthJA — [DATA_NEEDED: theta_JA]

Fiches techniques et ressources

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