DMN3190LDW-7 vs JMTG070N06A Comparação

Comparação detalhada lado a lado de DMN3190LDW-7 por Diodes Incorporated e JMTG070N06A por Jiejie Micro. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro DMN3190LDW-7 JMTG070N06A
Marca Diodes Incorporated Jiejie Micro
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,10 $0,45
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A 70 A
Power Dissipation (PD) 320 mW —
Encapsulamento SOT-363 (SC-70-6) 6-pin PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (SMD)
Temperatura de operação -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains Single N-channel MOSFET
Technology Silicon N-Channel MOSFET Advanced Trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
Nível MSL 1 (unlimited) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Jiejie Micro (JJW)
Part Number — JMTG070N06A
Polarity / Type — N-channel Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-Resistance RDS(ON) — < 6 mOhm @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC)
Lead Status — Lead free / RoHS compliant
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: TJ max and operating range]
Thermal Resistance RthJA — [DATA_NEEDED: theta_JA]

Fichas técnicas e recursos

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