E3AD8G16A4-HR vs MT40A512M16LY-075 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von E3AD8G16A4-HR von ELIXIR/NANYA und MT40A512M16LY-075 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | E3AD8G16A4-HR | MT40A512M16LY-075 |
|---|---|---|
| Marke | ELIXIR/NANYA | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,60 | $27,89 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Gehäuse | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) |
| Datenrate | 3200 MT/s | DDR4-2666 |
| CAS-Latenz | 22 | — |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (TCASE) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| Clock Speed | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Internal Banks (x16) | — | 8 (2 groups of 4 banks) |
| Refresh Time at TC -40°C to 85°C | — | 64ms |
| Refresh Time at TC >85°C to 95°C | — | 32ms |
| Refresh Time at TC >95°C to 105°C | — | 16ms |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C |