E3AD8G16A4-HR vs MT40A512M16LY-075 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок E3AD8G16A4-HR от ELIXIR/NANYA и MT40A512M16LY-075 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр E3AD8G16A4-HR MT40A512M16LY-075
Бренд ELIXIR/NANYA Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,60 $27,89
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb 8 Gbit
Напряжение питания 1.2 V —
Корпус TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Скорость передачи данных 3200 MT/s DDR4-2666
Задержка CAS 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Рабочая температура 0C to +95C (TCASE) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-3200 —
Clock Speed — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks)
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms
Диапазон рабочих температур — 0°C to +95°C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену