E3AD8G16A4-HR vs MT40A512M16LY-075 比較

詳細な並列比較: E3AD8G16A4-HR メーカー: ELIXIR/NANYA および MT40A512M16LY-075 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ E3AD8G16A4-HR MT40A512M16LY-075
ブランド ELIXIR/NANYA Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.60 $27.89
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb 8 Gbit
電源電圧 1.2 V —
パッケージ TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
データレート 3200 MT/s DDR4-2666
CASレイテンシ 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
動作温度 0C to +95C (TCASE) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-3200 —
Clock Speed — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks)
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms
動作温度範囲 — 0°C to +95°C

データシート&リソース

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