E3AD8G16A4-HR vs MT40A512M16LY-075 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de E3AD8G16A4-HR por ELIXIR/NANYA e MT40A512M16LY-075 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro E3AD8G16A4-HR MT40A512M16LY-075
Marca ELIXIR/NANYA Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,60 $27,89
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb 8 Gbit
Tensão de alimentação 1.2 V —
Encapsulamento TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Taxa de dados 3200 MT/s DDR4-2666
Latência CAS 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Temperatura de operação 0C to +95C (TCASE) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-3200 —
Clock Speed — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks)
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms
Faixa de temperatura de operação — 0°C to +95°C

Fichas técnicas e recursos

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