E3AD8G16A4-HR vs NT5AD512M16C4-HR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von E3AD8G16A4-HR von ELIXIR/NANYA und NT5AD512M16C4-HR von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Aktiv
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter E3AD8G16A4-HR NT5AD512M16C4-HR
Marke ELIXIR/NANYA Nanya Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,60 $43,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb 8 Gbit
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V
Gehäuse TFBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
Datenrate 3200 MT/s 1.333 GHz (DDR4-2666)
CAS-Latenz 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Betriebstemperatur 0C to +95C (TCASE) 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Montageart Surface Mount —
Speed Grade DDR4-3200 —
Anzahl der Pins — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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