E3AD8G16A4-HR vs NT5AD512M16C4-HR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de E3AD8G16A4-HR por ELIXIR/NANYA e NT5AD512M16C4-HR por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Ativo
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro E3AD8G16A4-HR NT5AD512M16C4-HR
Marca ELIXIR/NANYA Nanya Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,60 $43,10
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb 8 Gbit
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Encapsulamento TFBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
Taxa de dados 3200 MT/s 1.333 GHz (DDR4-2666)
Latência CAS 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Temperatura de operação 0C to +95C (TCASE) 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tipo de montagem Surface Mount —
Speed Grade DDR4-3200 —
Número de pinos — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

Fichas técnicas e recursos

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