E3AD8G16A4-HR vs NT5AD512M16C4-HR Comparación
Comparación detallada lado a lado de E3AD8G16A4-HR por ELIXIR/NANYA y NT5AD512M16C4-HR por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | E3AD8G16A4-HR | NT5AD512M16C4-HR |
|---|---|---|
| Marca | ELIXIR/NANYA | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,60 | $43,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | TFBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 1.333 GHz (DDR4-2666) |
| Latencia CAS | 22 | — |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (TCASE) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| Número de pines | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |