E3AD8G16A4-HR vs NT5AD512M16C4-HR 비교

다음의 상세 나란히 비교: E3AD8G16A4-HR 제조: ELIXIR/NANYA 및 NT5AD512M16C4-HR 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ 활성
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 E3AD8G16A4-HR NT5AD512M16C4-HR
브랜드 ELIXIR/NANYA Nanya Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $8.60 $43.10
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb 8 Gbit
공급 전압 1.2 V 1.2 V
패키지 TFBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
데이터 속도 3200 MT/s 1.333 GHz (DDR4-2666)
CAS 레이턴시 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
동작 온도 0C to +95C (TCASE) 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
실장 유형 Surface Mount —
Speed Grade DDR4-3200 —
핀 수 — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

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