EP3SE260H780C3 vs EP3SE260H780C4L Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP3SE260H780C3 von Intel und EP3SE260H780C4L von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP3SE260H780C3 EP3SE260H780C4L
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Aktiv NRND
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1.180,00 $1.190,00
Device Family Stratix III Enhanced (Stratix III E) —
Series EP3SE —
Logic Elements 255,000 255,000
Logic Array Blocks (LABs) 10200 —
Embedded Memory 16,672,768 bits (16.67 Mbit) —
User I/Os 488 —
Operating Voltage (Core) 0.9 V —
Operating Voltage (Auxiliary) 1.1 V —
Process Technology 65 nm CMOS —
Speed Grade C3 C4 (middle/slow tier)
Betriebstemperatur Commercial, 0C to +85C —
Maximum Core Frequency 500 MHz —
Gehäuse 780-ball FCBGA (HBGA), flip-chip 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm)
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount (flip-chip BGA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 3 (168 hours) —
Packaging Type Tray —
Configuration Memory Support Fast passive parallel, JTAG, Active Serial —
RoHS-Status Compliant (per product listings) Compliant (lead-free per datasheet)
Family — Stratix III E
LABs/CLBs — 10,200
Total RAM Bits — 16,672,768 (16.7 Mbit)
User I/O Count — 488
Core Voltage — 0.9 V (nominal)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — 0C to +85C (commercial)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Transceivers — Up to 24 multi-gigabit transceivers
Memory Interface — DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers
Configuration Mode — PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ

Datenblätter & Ressourcen

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