EP3SE260H780C3 vs EP3SE260H780C4L Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP3SE260H780C3 por Intel y EP3SE260H780C4L por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP3SE260H780C3 EP3SE260H780C4L
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1.180,00 $1.190,00
Device Family Stratix III Enhanced (Stratix III E) —
Series EP3SE —
Logic Elements 255,000 255,000
Logic Array Blocks (LABs) 10200 —
Embedded Memory 16,672,768 bits (16.67 Mbit) —
User I/Os 488 —
Operating Voltage (Core) 0.9 V —
Operating Voltage (Auxiliary) 1.1 V —
Process Technology 65 nm CMOS —
Speed Grade C3 C4 (middle/slow tier)
Temperatura de funcionamiento Commercial, 0C to +85C —
Maximum Core Frequency 500 MHz —
Encapsulado 780-ball FCBGA (HBGA), flip-chip 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm)
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount (flip-chip BGA)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 hours) —
Packaging Type Tray —
Configuration Memory Support Fast passive parallel, JTAG, Active Serial —
Estado RoHS Compliant (per product listings) Compliant (lead-free per datasheet)
Family — Stratix III E
LABs/CLBs — 10,200
Total RAM Bits — 16,672,768 (16.7 Mbit)
User I/O Count — 488
Core Voltage — 0.9 V (nominal)
Temperatura de unión de funcionamiento — 0C to +85C (commercial)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Transceivers — Up to 24 multi-gigabit transceivers
Memory Interface — DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers
Configuration Mode — PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ

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