EP3SE260H780C3 vs EP3SE260H780C4L Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3SE260H780C3 par Intel et EP3SE260H780C4L par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3SE260H780C3 EP3SE260H780C4L
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1 180,00 $1 190,00
Device Family Stratix III Enhanced (Stratix III E) —
Series EP3SE —
Logic Elements 255,000 255,000
Logic Array Blocks (LABs) 10200 —
Embedded Memory 16,672,768 bits (16.67 Mbit) —
User I/Os 488 —
Operating Voltage (Core) 0.9 V —
Operating Voltage (Auxiliary) 1.1 V —
Process Technology 65 nm CMOS —
Speed Grade C3 C4 (middle/slow tier)
Température de fonctionnement Commercial, 0C to +85C —
Maximum Core Frequency 500 MHz —
Boîtier 780-ball FCBGA (HBGA), flip-chip 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm)
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount (flip-chip BGA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 hours) —
Packaging Type Tray —
Configuration Memory Support Fast passive parallel, JTAG, Active Serial —
Statut RoHS Compliant (per product listings) Compliant (lead-free per datasheet)
Family — Stratix III E
LABs/CLBs — 10,200
Total RAM Bits — 16,672,768 (16.7 Mbit)
User I/O Count — 488
Core Voltage — 0.9 V (nominal)
Température de jonction en fonctionnement — 0C to +85C (commercial)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Transceivers — Up to 24 multi-gigabit transceivers
Memory Interface — DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers
Configuration Mode — PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ

Fiches techniques et ressources

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