H58G66CK8BX147 vs H58G66CK8BX147N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H58G66CK8BX147 von SK hynix und H58G66CK8BX147N von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H58G66CK8BX147 H58G66CK8BX147N
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $34,60
Speichertyp LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8GB (1Gx8, 2CH, 2CS) 64 Gbit (8 GB)
Speicherorganisation x8 x8 (single channel)
Speed Grade LPDDR5X-8533 (8533 Mbps/pin) —
Supply Voltage (VDD1) 1.8 V —
Core Voltage (VDD2) 1.05 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Operating Voltage Range 0.5 V to 1.8 V —
Gehäuse 315-ball FBGA (Lead & Halogen Free) 315-ball FBGA
Kanäle 1 channel, 2 chip selects —
Bus Width Modes x16 / x8 per JEDEC compliant SDRAM definition —
Betriebstemperatur -25C and above (per FBGA specification) [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Standard JEDEC compliant LPDDR5/5X SDRAM —
RoHS-Status Compliant (lead-free package) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Halogenfrei Yes —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Maximum Data Rate — 8533 Mbps
Supply Voltage Domain — 0.5 V to 1.8 V
Core Voltage Class — 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class)
Standard Compliance — JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification)
Schnittstelle — LPDDR5/LPDDR5X protocol
Channel Configuration — Single channel (x8 or x16 capable family)
Power Management — Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ)
Application Domain — Smartphone, AI edge, server-class mobile computing
Refresh Scheme — LPDDR5 per-bank / all-bank refresh

Datenblätter & Ressourcen

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