H58G66CK8BX147 vs H58G66CK8BX147N Comparación

Comparación detallada lado a lado de H58G66CK8BX147 por SK hynix y H58G66CK8BX147N por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H58G66CK8BX147 H58G66CK8BX147N
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $34,60
Tipo de memoria LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8GB (1Gx8, 2CH, 2CS) 64 Gbit (8 GB)
Organización de memoria x8 x8 (single channel)
Speed Grade LPDDR5X-8533 (8533 Mbps/pin) —
Supply Voltage (VDD1) 1.8 V —
Core Voltage (VDD2) 1.05 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Operating Voltage Range 0.5 V to 1.8 V —
Encapsulado 315-ball FBGA (Lead & Halogen Free) 315-ball FBGA
Canales 1 channel, 2 chip selects —
Bus Width Modes x16 / x8 per JEDEC compliant SDRAM definition —
Temperatura de funcionamiento -25C and above (per FBGA specification) [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Standard JEDEC compliant LPDDR5/5X SDRAM —
Estado RoHS Compliant (lead-free package) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Sin halógenos Yes —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Maximum Data Rate — 8533 Mbps
Supply Voltage Domain — 0.5 V to 1.8 V
Core Voltage Class — 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class)
Standard Compliance — JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification)
Interfaz — LPDDR5/LPDDR5X protocol
Channel Configuration — Single channel (x8 or x16 capable family)
Power Management — Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ)
Application Domain — Smartphone, AI edge, server-class mobile computing
Refresh Scheme — LPDDR5 per-bank / all-bank refresh

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