H58G66CK8BX147 vs H58G66CK8BX147N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H58G66CK8BX147 par SK hynix et H58G66CK8BX147N par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H58G66CK8BX147 H58G66CK8BX147N
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $34,60
Type de mémoire LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8GB (1Gx8, 2CH, 2CS) 64 Gbit (8 GB)
Organisation de la mémoire x8 x8 (single channel)
Speed Grade LPDDR5X-8533 (8533 Mbps/pin) —
Supply Voltage (VDD1) 1.8 V —
Core Voltage (VDD2) 1.05 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Operating Voltage Range 0.5 V to 1.8 V —
Boîtier 315-ball FBGA (Lead & Halogen Free) 315-ball FBGA
Canaux 1 channel, 2 chip selects —
Bus Width Modes x16 / x8 per JEDEC compliant SDRAM definition —
Température de fonctionnement -25C and above (per FBGA specification) [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Standard JEDEC compliant LPDDR5/5X SDRAM —
Statut RoHS Compliant (lead-free package) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Sans halogène Yes —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Maximum Data Rate — 8533 Mbps
Supply Voltage Domain — 0.5 V to 1.8 V
Core Voltage Class — 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class)
Standard Compliance — JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification)
Interface — LPDDR5/LPDDR5X protocol
Channel Configuration — Single channel (x8 or x16 capable family)
Power Management — Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ)
Application Domain — Smartphone, AI edge, server-class mobile computing
Refresh Scheme — LPDDR5 per-bank / all-bank refresh

Fiches techniques et ressources

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