H58G66CK8BX147 vs H58G66CK8BX147N Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H58G66CK8BX147 por SK hynix e H58G66CK8BX147N por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H58G66CK8BX147 H58G66CK8BX147N
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $34,60
Tipo de memória LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8GB (1Gx8, 2CH, 2CS) 64 Gbit (8 GB)
Organização da memória x8 x8 (single channel)
Speed Grade LPDDR5X-8533 (8533 Mbps/pin) —
Supply Voltage (VDD1) 1.8 V —
Core Voltage (VDD2) 1.05 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Operating Voltage Range 0.5 V to 1.8 V —
Encapsulamento 315-ball FBGA (Lead & Halogen Free) 315-ball FBGA
Canais 1 channel, 2 chip selects —
Bus Width Modes x16 / x8 per JEDEC compliant SDRAM definition —
Temperatura de operação -25C and above (per FBGA specification) [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Standard JEDEC compliant LPDDR5/5X SDRAM —
Status RoHS Compliant (lead-free package) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Livre de halogênio Yes —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Maximum Data Rate — 8533 Mbps
Supply Voltage Domain — 0.5 V to 1.8 V
Core Voltage Class — 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class)
Standard Compliance — JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification)
Interface — LPDDR5/LPDDR5X protocol
Channel Configuration — Single channel (x8 or x16 capable family)
Power Management — Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ)
Application Domain — Smartphone, AI edge, server-class mobile computing
Refresh Scheme — LPDDR5 per-bank / all-bank refresh

Fichas técnicas e recursos

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