H58G66CK8BX147 vs H58G66CK8BX147N 비교

다음의 상세 나란히 비교: H58G66CK8BX147 제조: SK hynix 및 H58G66CK8BX147N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 H58G66CK8BX147 H58G66CK8BX147N
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $34.60
메모리 유형 LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8GB (1Gx8, 2CH, 2CS) 64 Gbit (8 GB)
메모리 구성 x8 x8 (single channel)
Speed Grade LPDDR5X-8533 (8533 Mbps/pin) —
Supply Voltage (VDD1) 1.8 V —
Core Voltage (VDD2) 1.05 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Operating Voltage Range 0.5 V to 1.8 V —
패키지 315-ball FBGA (Lead & Halogen Free) 315-ball FBGA
채널 수 1 channel, 2 chip selects —
Bus Width Modes x16 / x8 per JEDEC compliant SDRAM definition —
동작 온도 -25C and above (per FBGA specification) [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Standard JEDEC compliant LPDDR5/5X SDRAM —
RoHS 상태 Compliant (lead-free package) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
할로겐 프리 Yes —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Maximum Data Rate — 8533 Mbps
Supply Voltage Domain — 0.5 V to 1.8 V
Core Voltage Class — 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class)
Standard Compliance — JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification)
인터페이스 — LPDDR5/LPDDR5X protocol
Channel Configuration — Single channel (x8 or x16 capable family)
Power Management — Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ)
Application Domain — Smartphone, AI edge, server-class mobile computing
Refresh Scheme — LPDDR5 per-bank / all-bank refresh

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