H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-RDC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G6NBJR-UHC von SK hynix und H5AN4G6NBJR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN4G6NBJR-UHC | H5AN4G6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,09 | $6,15 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +95C | — |
| Gehäuse | FBGA-96 (PBGA-96) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | Auto / Self Refresh |
| Data Mask Function | Yes (DM) | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | Yes |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Schnittstelle | — | CMOS, fully synchronous |
| Package Code | — | TFBGA (FBGA-96) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Package Width | — | 7.5 mm |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) |
| Speed Grade | — | -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) |