H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-RDC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G6NBJR-UHC от SK hynix и H5AN4G6NBJR-RDC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-RDC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,09 $6,15
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 4 Gbit —
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 1.6 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
Technology CMOS —
Рабочая температура -40C to +95C —
Корпус FBGA-96 (PBGA-96) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh Auto / Self Refresh
Data Mask Function Yes (DM) Yes
Asynchronous Reset Yes (RESET_n) Yes
On-Die Termination Dynamic ODT Dynamic ODT
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes (command/address CRC) Yes
Статус RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Напряжение питания — 1.2 V
Интерфейс — CMOS, fully synchronous
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену