H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-RDC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-RDC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,09 $6,15
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit —
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 1.6 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
Technology CMOS —
Temperatura de operação -40C to +95C —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA-96) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh Auto / Self Refresh
Data Mask Function Yes (DM) Yes
Asynchronous Reset Yes (RESET_n) Yes
On-Die Termination Dynamic ODT Dynamic ODT
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes (command/address CRC) Yes
Status RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Tensão de alimentação — 1.2 V
Interface — CMOS, fully synchronous
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

Fichas técnicas e recursos

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