H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G6NBJR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN4G6NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ 生産中
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H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.09 $6.15
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 4 Gbit —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 1.6 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
Technology CMOS —
動作温度 -40C to +95C —
パッケージ FBGA-96 (PBGA-96) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh Auto / Self Refresh
Data Mask Function Yes (DM) Yes
Asynchronous Reset Yes (RESET_n) Yes
On-Die Termination Dynamic ODT Dynamic ODT
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes (command/address CRC) Yes
RoHS ステータス Compliant —
Density — 4 Gb
電源電圧 — 1.2 V
インターフェース — CMOS, fully synchronous
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

データシート&リソース

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