H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHCR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-RDC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-UHCR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-UHCR
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,95 $3,18
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Schnittstelle DDR4 (Double Data Rate IV) DDR4 SSTL12
Gehäuse 78-ball FBGA 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA solder-down)
Versorgungsspannung [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V (VDD)
Datenrate [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] —
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Termination On-Die Termination (ODT) —
RoHS-Status Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) Compliant
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Speed Grade — UH (DDR4-2400 class, PC2400)
Internal Prefetch — 8n
Operating Case Temperature — -40C to +85C (industrial range)
Extended Temperature Range — Up to +95C case temperature (per datasheet conditions)
Lead Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Packaging Suffix — -R = Tape and Reel
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CL value for UH grade]

Datenblätter & Ressourcen

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