H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHCR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-RDC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-UHCR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-UHCR
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,95 $3,18
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Интерфейс DDR4 (Double Data Rate IV) DDR4 SSTL12
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (BGA solder-down)
Напряжение питания [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V (VDD)
Скорость передачи данных [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] —
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Статус RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) Compliant
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Speed Grade — UH (DDR4-2400 class, PC2400)
Internal Prefetch — 8n
Operating Case Temperature — -40C to +85C (industrial range)
Extended Temperature Range — Up to +95C case temperature (per datasheet conditions)
Lead Free — Yes
Без галогенов — Yes
Packaging Suffix — -R = Tape and Reel
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CL value for UH grade]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену