H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHCR Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-RDC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-UHCR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-UHCR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,95 | $3,18 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Interfaz | DDR4 (Double Data Rate IV) | DDR4 SSTL12 |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder-down) |
| Tensión de alimentación | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | 1.2 V (VDD) |
| Velocidad de datos | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | — |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Estado RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | Compliant |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Speed Grade | — | UH (DDR4-2400 class, PC2400) |
| Internal Prefetch | — | 8n |
| Operating Case Temperature | — | -40C to +85C (industrial range) |
| Extended Temperature Range | — | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Packaging Suffix | — | -R = Tape and Reel |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] |