H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHCR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-RDC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHCR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-UHCR |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,95 | $3,18 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate IV) | DDR4 SSTL12 |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder-down) |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | 1.2 V (VDD) |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | — |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Statut RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | Compliant |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Speed Grade | — | UH (DDR4-2400 class, PC2400) |
| Internal Prefetch | — | 8n |
| Operating Case Temperature | — | -40C to +85C (industrial range) |
| Extended Temperature Range | — | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Packaging Suffix | — | -R = Tape and Reel |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] |