H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-UHCR von SK hynix und H5AN4G8NBJR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,18 $2,95
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) —
Versorgungsspannung 1.2 V (VDD) [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
Schnittstelle DDR4 SSTL12 DDR4 (Double Data Rate IV)
Internal Prefetch 8n —
Gehäuse 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Montageart Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) —
Lead Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS-Status Compliant Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] Auto-refresh and self-refresh
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] —
Datenrate — [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Termination — On-Die Termination (ODT)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

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