H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHCR par SK hynix et H5AN4G8NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHCR | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,18 | $2,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | UH (DDR4-2400 class, PC2400) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Interface | DDR4 SSTL12 | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| Internal Prefetch | 8n | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount (BGA solder-down) | Surface Mount |
| Operating Case Temperature | -40C to +85C (industrial range) | — |
| Extended Temperature Range | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| Packaging Suffix | -R = Tape and Reel | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] | Auto-refresh and self-refresh |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] | — |
| Débit de données | — | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |