H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-VKC von SK hynix und H5AN4G6NBJR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,40 $6,15
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
Datenrate 2666 Mbps (DDR4-2666) —
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Gehäuse FBGA-78 (7.5 x 11 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) —
Packaging Tray —
Lebenszyklusstatus Active —
Density — 4 Gb
Speicherorganisation — 256M x 16
Versorgungsspannung — 1.2 V
Schnittstelle — CMOS, fully synchronous
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Self Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern