H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-RDC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-VKC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-RDC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,40 $6,15
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
Taxa de dados 2666 Mbps (DDR4-2666) —
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Encapsulamento FBGA-78 (7.5 x 11 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) —
Packaging Tray —
Status do ciclo de vida Active —
Density — 4 Gb
Organização da memória — 256M x 16
Tensão de alimentação — 1.2 V
Interface — CMOS, fully synchronous
Package Code — TFBGA (FBGA-96)
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Self Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

Fichas técnicas e recursos

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