H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN4G6NBJR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.40 | $6.15 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | — |
| Packaging | Tray | — |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| Density | — | 4 Gb |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 인터페이스 | — | CMOS, fully synchronous |
| Package Code | — | TFBGA (FBGA-96) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Package Width | — | 7.5 mm |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet |
| Self Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) |
| Speed Grade | — | -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) |