H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-VKC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-VKC von SK hynix und H5AN4G6NBJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,40 | $12,96 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gb | 4 Gbit |
| Memory Organization | 512M x8 | 256M x 16 |
| Datenrate | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2666 Mbps |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| Gehäuse | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto self-refresh |
| RoHS-Status | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | Compliant |
| Packaging | Tray | Tray |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |