H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-VKC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,40 | $12,96 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | 4 Gbit |
| Memory Organization | 512M x8 | 256M x 16 |
| Débit de données | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2666 Mbps |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto self-refresh |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | Compliant |
| Packaging | Tray | Tray |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| Interface | — | Parallel |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |