H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-VKC por SK hynix y H5AN4G6NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,40 | $12,96 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gb | 4 Gbit |
| Memory Organization | 512M x8 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2666 Mbps |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| Encapsulado | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto self-refresh |
| Estado RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | Compliant |
| Packaging | Tray | Tray |
| Estado del ciclo de vida | Active | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |