H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-VKC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-VKC от SK hynix и H5AN4G6NBJR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,40 | $12,96 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gb | 4 Gbit |
| Memory Organization | 512M x8 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2666 Mbps |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| Корпус | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto self-refresh |
| Статус RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | Compliant |
| Packaging | Tray | Tray |
| Статус жизненного цикла | Active | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |