H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-UHI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-VKI von SK hynix und H5AN4G8NBJR-UHI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,98 | $2,25 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Datenrate | 2666 Mbps | 2400 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Gehäuse | FBGA-78 | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | On-die termination (ODT) |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Self-refresh and auto-refresh support |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Schnittstelle | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |