H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-VKI par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,98 | $2,25 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2666 Mbps | 2400 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Boîtier | FBGA-78 | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | On-die termination (ODT) |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Self-refresh and auto-refresh support |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Interface | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |