H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-UHI 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-VKI メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-UHI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-UHI
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.98 $2.25
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
データレート 2666 Mbps 2400 MT/s
電源電圧 1.2 V —
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
パッケージ FBGA-78 FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) DDR4-2400 (PC4-19200)
Temperature Grade Industrial (I suffix) —
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) On-die termination (ODT)
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400]
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] Self-refresh and auto-refresh support
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Grade — Industrial (-UHI suffix)
インターフェース — JEDEC DDR4 SDRAM
Bank Architecture — DDR4 bank group architecture
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

データシート&リソース

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