H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-VKI por SK hynix e H5AN4G8NBJR-UHI por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Ativo
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-UHI
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,98 $2,25
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Taxa de dados 2666 Mbps 2400 MT/s
Tensão de alimentação 1.2 V —
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
Encapsulamento FBGA-78 FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) DDR4-2400 (PC4-19200)
Temperature Grade Industrial (I suffix) —
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) On-die termination (ODT)
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400]
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] Self-refresh and auto-refresh support
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Grade — Industrial (-UHI suffix)
Interface — JEDEC DDR4 SDRAM
Bank Architecture — DDR4 bank group architecture
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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