H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-VKI por SK hynix y H5AN4G8NBJR-UHI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,98 | $2,25 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | 2400 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | On-die termination (ODT) |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Self-refresh and auto-refresh support |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Interfaz | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |