H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-VKIR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-VKI von SK hynix und H5AN4G8NBJR-VKIR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKIR
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,98 $1,98
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Datenrate 2666 Mbps 2666 Mbps per pin
Versorgungsspannung 1.2 V —
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
Gehäuse FBGA-78 78-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) —
Temperature Grade Industrial (I suffix) —
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) —
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Technology — CMOS DRAM
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

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