H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-VKIR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-VKI от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKIR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKIR
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,98 $1,98
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Скорость передачи данных 2666 Mbps 2666 Mbps per pin
Напряжение питания 1.2 V —
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
Корпус FBGA-78 78-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) —
Temperature Grade Industrial (I suffix) —
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) —
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Рабочая температура [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Technology — CMOS DRAM
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену