H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-VKIR 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-VKI メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-VKIR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKIR
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.98 $1.98
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
データレート 2666 Mbps 2666 Mbps per pin
電源電圧 1.2 V —
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
パッケージ FBGA-78 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) —
Temperature Grade Industrial (I suffix) —
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) —
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Technology — CMOS DRAM
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

データシート&リソース

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