H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-VKIR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-VKI par SK hynix et H5AN4G8NBJR-VKIR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-VKIR |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,98 | $1,98 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2666 Mbps | 2666 Mbps per pin |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Boîtier | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | — |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh interval specification] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40C to +85C (case) |
| Extended Temperature Range | — | +85C to +95C (case, per datasheet conditions) |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Product Family | — | H5AN4G4/6/8NBJR series |
| Speed Grade Code | — | -VKI |
| Packing Suffix | — | R (Tape & Reel) |
| VPP Supply | — | [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |