H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-PBC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,55 $5,74
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Schnittstellentyp DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh Auto self-refresh
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Gehäuse TFBGA-96 (rectangular) FBGA-96
Number of Terminals 96 96
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Composition CMOS —
Versorgungsspannung — 1.2 V
Datenrate — 2400 MT/s
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
RoHS Compliant — Yes
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)

Datenblätter & Ressourcen

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