H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NAFR-PBC por SK hynix y H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NAFR-PBC | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,55 | $5,74 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V +0.25/-0.125 V | — |
| Tipo de interfaz | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Speed Bins Supported | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | Auto self-refresh |
| DLL | DLL ON mode for speed bin operation | — |
| Clock | Differential clock (CK/CK#) | — |
| Encapsulado | TFBGA-96 (rectangular) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +85°C |
| Estado RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Composition | CMOS | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Velocidad de datos | — | 2400 MT/s |
| Package Code | — | TFBGA |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |