H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-PBC por SK hynix e H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,55 $5,74
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Tipo de interface DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh Auto self-refresh
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Encapsulamento TFBGA-96 (rectangular) FBGA-96
Number of Terminals 96 96
Tipo de montagem Surface Mount —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Composition CMOS —
Tensão de alimentação — 1.2 V
Taxa de dados — 2400 MT/s
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
RoHS Compliant — Yes
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)

Fichas técnicas e recursos

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